بررسی و ارائه روشهای نوین جهت بهبودولتاژشکست و اثرات خودگرمایی درترانزیستورهای ماسفت در ساختار سیلیسیم بر روی عایق

درسالیان اخیر با پیشرفت نیمه هادیهای توان و تکنولوژی مجتمع سازی ادوات نیمه هادی توجه چشمگیری به افزاره های توان شده است. در بین ادوات توان ساختار سیلیسم بر روی عایق به علت ویژگی های بسیاری از جمله، کاهش خازن های پارازیتیک، ایزولاسیون تقریبا ایده آل و کاهش جریان های نشتی به زیر لایه مورد توجه قرار گرفته است به خصوص خاصیت ایزولاسیون بالای آن باعث شده است که در کاربردهای مدارات مجتمع توان امکان مجتمع سازی افزاره های ولتاژ بالا و ولتاژ پایین بر روی یک چیپ وجود داشته باشد. با این وجود تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق از مشکلاتی مانند ولتاژ شکست کم و پدیده خودگرمایی رنج میبرد. برای افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم بر روی عایق، یک ساختار جدید سیلیسیم بر روی نیمه عایق با یک حفره در سمت درین در لایه اکسید مدفون پیشنهاد شده است. در این ساختار از روش ایجاد پیک های اضافی و کاهش میدان سطحی برای افزایش ولتاژ شکست استفاده شده است. یکی دیگر از ساختارهای ارائه شده ساختار ماسفت نیمه soi با دو پله در لایه اکسید مدفون در این ساختار با استفاده از دوپله در اکسید مدفون توزیع میدان الکتریکی یکنواخت تر میشود و ولتاژ شکست افزایش میابد. در دوفصل آخر به بررسی افزاره هایی با دوپینگ پله ای در ناحیه دریفت می پردازیم. همچنین به علت وجود یک مسیر انتقال دمایی در سمت سورس اثر خودگرمایی در ساختارهای ارائه شده کاهش پیدا کرده است.